Eddig, monokristályos szilícium napelemek gyorsan fejlődtek mind a kutatás, mind az iparosítás terén.

A C-Si sejteket befolyásoló számos tényező közül a szilícium lapkák minőségének javulása egyre kisebbé teszi a tömeges rekombinációt, az új passzivációs rétegek kifejlesztése és ezek előállítási technológiája pedig nagymértékben csökkenti a felületi rekombinációt. Közülük a fémelektróda és a C-Si kontaktus rekombinációja válik a cella hatékonyságát befolyásoló kulcstényezővé, és az utolsó korlátozó tényezőnek tekinthető az elméleti határhatékonyság közelében. A fém és a C-Si érintkezési pontján a rekombináció csökkentése érdekében egyrészt a fém és a C-Si közötti közvetlen érintkezési felületet csökkentik a cella hátulján lévő lyukak részleges megnyitásával (beleértve a PERC, PERL, és PERT stb.). Bár a konverziós hatásfok 25% vagy ahhoz közeli, ezekben a cellákban továbbra is közvetlen érintkezés van a fém és a C-Si között, a hátoldali nyitási folyamat bonyolult, és károsítja a szilícium anyagot a nyílásnál.

Ezenkívül a lokális nyitási technika arra készteti a hordozókat, hogy ne csak az érintkezési felületre merőlegesen térjenek le a migrációs útról, hanem a nyílásnál összezsúfolódhatnak, ami a kitöltési tényező elvesztéséhez vezet. Másrészt olyan újszerű érintkezési sémákat kell kidolgozni, amelyek mind a kiváló felületi passziválást, mind a hordozók szétválasztását és szállítását nyílások, azaz hordozó-szelektív passzivációs érintkezők nélkül képesek elérni. Ezzel a megoldással megvalósítható a szilícium lapka teljes felületének passziválása (beleértve az érintkezési felületet és az érintkezési felületet is), és ekkor a hordozók egydimenziós szállítást végeznek az elektródák között mindkét végén, ami előnyös a magasabb kitöltési tényezőt kap, majd javítja az átalakítási hatékonyságot.